Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo pequeñas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al alterar la densidad de portadores de carga libres. Los elementos del grupo V de la tabla periódica tienen cinco electrones en la capa de valencia. Esto hace que cuatro de ellos se enlacen a los átomos de silicio vecinos mediante un enlace covalente, quedando un electrón con un enlace débil que hace que cualquier incremento de energía le permita acceder a la banda de conducción, sin generar un hueco en la banda de valencia, puesto los estados energéticos están completos en ella.
Si en lugar de átomos del grupo V, se introducen impurezas con átomos del grupo III de la Tabla Periódica, que sólo tienen tres átomos en su capa de valencia, estos átomos se enlazan con tres de sus vecinos mediante un enlace covalente, pero el cuarto posible enlace carece de electrón. Ello se interpreta como que existen estados energéticos disponibles justo por encima de la banda de valencia
Un aporte mínimo de energía hace que electrones de la banda de valencia pasen a estos estados energéticos, creándose un hueco en la banda de valencia. Cuando un semiconductor presenta impurezas de forma controlada se dice que está dopado. En el caso de que se introduzcan átomos del grupo V, impurezas donadoras, decimos que tenemos un semiconductor de tipo N. En el caso de que tengamos impurezas aceptoras del grupo III, se dice que tenemos un semiconductor de tipo P.
No hay comentarios.:
Publicar un comentario